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當前位置:首頁技術文章高低溫試驗測試流程

高低溫試驗測試流程

更新時間:2023-11-01點擊次數:865

1、在樣品斷電的狀態下,先將溫度下降到-50°C,保持4個小時;請勿在樣品通電的狀態下進行低溫測試,非常重要,因為通電狀態下,芯片本身就會產生+20°C以上溫度,所以,在通電狀態下,通常比較容易通過低溫測試,必須先將其“凍透",再次通電進行測

2、開機,對樣品進行性能測試,對比性能與常溫相比是否正常。

3、進行老化測試,觀察是否有數據對比錯誤。

4、升溫到+90°C,保持4個小時,與低溫測試相反,升溫過程不斷電,保持芯片內部的溫度一直處于高溫狀態,4個小時后,執行2、3、4測試步驟。

5、高溫和低溫測試分別重復10次。

如果測試過程出現任何一次不能正常工作的狀態,則視為測試失敗。

高溫環境對設備的主要影響有:

1. 填充物和密封條溶化或融化;

2. 潤滑劑粘度降低,揮發加速,潤滑作用減小;

3. 電子電路穩定性下降,絕緣損壞;

4. 加速高分子材料和絕緣材料老化,包括氧化、開裂、化學反應等;

5. 材料膨脹造成機械應力加大或磨損加大。



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